三安光电:拟投资160亿元在长沙建设第三代半导体产业园项目

日期:2020-06-17 阅读:438
核心提示:司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司,投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,投资总额160亿元。公司表示,将在两年内完成一期项目建设并实现投产,四年内完成二期项目建设并实现投产,六年内实现达产。
   6月16日晚间,三安光电(600703)发布公告称,公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司,投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,投资总额160亿元。公司表示,将在两年内完成一期项目建设并实现投产,四年内完成二期项目建设并实现投产,六年内实现达产。
 
  据介绍,三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩,将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6寸SIC导电衬底、4寸半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
 
  公开资料显示,三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。公司致力于化合物半导体集成电路业务的发展,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
 
  全资控股公司三安集成,成立于2014年5月26日,是国内化合物半导体代工龙头,业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域,已取得国内重要客户的合格供应商认证,各个板块已全面开展合作。2019年三安集成实现营业收入2.41亿元,同比增长40.67%;2020第一季度实现收入1.66亿元。
 
  2017年底时,三安光电曾宣布大手笔投资333亿元建设“泉州芯谷”南安园区三安高端半导体项目。主要包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目,高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目,大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目的光芒,用于扩大高端化合物半导体产能。
 
  根据当时的项目预计,三安光电称全部项目5年内实现投产,7年内全部项目实现达产。业内预计,333亿元投资达产后年营收约270亿元,是当前三安光电营收的3倍。泉州南安项目也被称为“再造一个三安光电”。
 
  另外,三安光电还与华芯投资管理有限责任公司(大基金的唯一管理机构)、国家开发银行、福建三安集团有限公司约定四方建立战略合作关系,大力支持公司发展以Ⅲ-V族化合物半导体为重点的集成电路业务。不过,大基金拟在未来6个月内减持不超过公司股份总数2%的股票。
 
  数据显示,大基金一期持有三安光电股份(9.660, 0.25, 2.66%)4.61亿股,约占公司总股本的11.30%。三安光电6月12日公告称,大基金一期计划公告日起15个交易日后的6个月内,减持股份数量不超过公司股份总数2%,即8157万股。以三安光电6月16日收盘价23.6元算,大基金一期套现总金额最高可达18.43亿元。
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