中高压（1-10 kV）氮化镓功率器件新进展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices张宇昊美国弗吉尼亚理工大学助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University

Is WBG a Game Changer for Power Electronics IndustryFred LEE美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士Fred LEEDistinguished Professor Emeritus at Virginia Tech, USA; Member of the National Academy of Engineering (USA), Member of National Academy of Inventors (USA), Foreign Member of Chinese Academy of Engineering

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙

美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型