功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs钟耀宗中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所助理研究员ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了