，_视频搜索_第2页_半导体产业网

首页 > 视频 > 搜索

陈凯：基于MPCVD法异
2190
陈凯：基于MPCVD法异
《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
21900
limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化镓单晶生
780
穆文祥：氧化镓单晶生
《氧化镓单晶生长与性能研究》作者：贾志泰，穆文祥，陶绪堂单位：山东大学晶体材料国家重点实验室
7800
limit2022-01-07 14:58
汤潇：全溶液法沉积柔
1840
汤潇：全溶液法沉积柔
《全溶液法沉积柔性掺杂可调控氧化镓薄膜光电器件的研究》作者：汤潇，李晓航单位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
18400
limit2022-01-07 14:57
张逸韵：高温气氛退火
890
张逸韵：高温气氛退火
《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者：武松浩，张逸韵单位：北京理工大学，中国科学院半导体研究所
8900
limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探测
1000
朱志甫：10BN中子探测
《10BN中子探测材料生长与器件制备》作者：朱志甫，王少堂，邹继军，甘勇，汤彬单位：郑州工程技术学院，东华理工大学
10000
limit2022-01-07 14:20
张辉：氧化镓晶体的生
2640
张辉：氧化镓晶体的生
《氧化镓晶体的生长、缺陷及掺杂》作者：张辉，夏宁，刘莹莹，李成，杨德仁单位：浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学杭州国际科创中心
26400
limit2022-01-07 14:18
唐宁：氮化镓量子阱中
1740
唐宁：氮化镓量子阱中
《氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究》作者：张仕雄，唐宁，刘星辰，张晓玥，付雷，张云帆，樊腾，孙真昊，葛惟昆，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
17400
limit2022-01-07 14:16
徐童龄：基于NiO/β-
680
徐童龄：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
6800
limit2022-01-07 13:50
张亚民：基于脉冲信号
840
张亚民：基于脉冲信号
《基于脉冲信号导通延迟的SiC MOSFET结温检测方法研究》作者：姜山，张亚民，冯士维，石帮兵单位：北京工业大学
8400
limit2022-01-07 13:49
刘红辉：光照下AlGaN/
1700
刘红辉：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN异质结沟道中载流子的输运过程研究》柳月波，刘红辉，邢洁莹，姚婉青，戴雅琼，杨隆坤，王风格，任远，沈俊宇，张敏杰，作者：吴志盛，刘扬，张佰君单位：中山大学电子与信息工程学院
17000
limit2022-01-07 13:47
刘少煜：一种通过提高
3340
刘少煜：一种通过提高
《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
33400
limit2022-01-07 13:35
郑伟：4H-SiC、GaN和
2980
郑伟：4H-SiC、GaN和
《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加优值的巨量退化》作者：程璐，郑伟单位：中山大学材料学院，国家光电材料与技术国家重点实验室
29800
limit2022-01-07 13:32
李忠辉：新型Al(Ga)N/
2130
李忠辉：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室
21300
limit2022-01-07 11:15
李天义：SiC紫外单光
1690
李天义：SiC紫外单光
《SiC紫外单光子探测器及其成像阵列的器件物理与性能表征研究》作者：李天义，苏琳琳，周东，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
16900
limit2022-01-07 10:26
刘兴华：基于牛眼结构
1140
刘兴华：基于牛眼结构
《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院
11400
limit2022-01-07 10:24
杨伟锋：碳化硅(4H-Si
3580
杨伟锋：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光电探测器研究现状》作者：杨伟锋，吴正云单位：厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）微电子与集成电路系，厦门大学物理科学与技术学院物理系
35800
limit2022-01-07 10:23
何云斌：ZnO多元合金
1750
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生长、带隙调控及其紫外光电探测器研究》作者：何云斌，黎明锴，卢寅梅，张腾，陈剑，刘洋，郭紫曼，汪洋单位：湖北大学材料科学与工程学院
17500
limit2022-01-07 10:19
陈敦军：高增益AlGaN
590
陈敦军：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基异质结紫外光电探测器及其能带的调控》作者：陈敦军，游海帆，王海萍，蔡青，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
5900
limit2022-01-07 08:59
詹腾：金属氧化物/AlG
1470
詹腾：金属氧化物/AlG
《金属氧化物/AlGaN/GaN基多异质结深紫外光电探测器》作者：詹腾，孙剑文，伊晓燕，李晋闽单位：中国科学半导体研究所、清华大学
14700
limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于宽禁带铝
1220
汪丹浩：基于宽禁带铝
《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
12200
limit2022-01-07 08:55