刘少煜：一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法

视频WBSC 20212024-04-24 20:18
329播放 · 0评论未经作者授权，禁止转载
1515
稿件投诉
《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
展开更多
limit发消息
分享知识，共同成长。把复杂的事情掰扯明白！
相关推荐
日本京都大学教授Naoki SHINOHARA：太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展05:18
日本京都大学教授Naoki SHINOHARA：太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展
guansheng
995播放 · 0评论
西安电子科技大学王鹏飞；双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究05:18
西安电子科技大学王鹏飞；双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究
guansheng
874播放 · 0评论
昂瑞微电子副总经理黄鑫：国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代05:18
昂瑞微电子副总经理黄鑫：国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代
guansheng
966播放 · 0评论
山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏：电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs05:18
山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏：电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
guansheng
1040播放 · 0评论
中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计05:18
中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计
guansheng
952播放 · 0评论
南京理工大学副教授黄同德：28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统05:18
南京理工大学副教授黄同德：28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统
guansheng
962播放 · 0评论
能讯高能半导体副总裁裴轶：氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新05:18
能讯高能半导体副总裁裴轶：氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新
guansheng
1018播放 · 0评论
复旦大学教授黄伟：宽带GaN毫米波新器件研究05:18
复旦大学教授黄伟：宽带GaN毫米波新器件研究
guansheng
845播放 · 0评论
国博电子副总经理钱峰：5G移动通信用化合物器件研究05:18
国博电子副总经理钱峰：5G移动通信用化合物器件研究
guansheng
877播放 · 0评论
澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM05:18
澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
guansheng
771播放 · 0评论
西交利物浦大学朱昱豪：35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器05:18
西交利物浦大学朱昱豪：35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器
guansheng
687播放 · 0评论
中科院宁波材料所戴贻钧：无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化05:18
中科院宁波材料所戴贻钧：无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化
guansheng
671播放 · 0评论
中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法05:18
中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗：功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法
guansheng
691播放 · 0评论
中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国：AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制05:18
中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国：AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制
guansheng
910播放 · 0评论
电子科技大学博士陈匡黎： p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理05:18
电子科技大学博士陈匡黎： p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理
guansheng
772播放 · 0评论
展开
联系客服 投诉反馈  顶部