电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

AECQ-101车规级认证的高性能1200V SiC MOS器件史文华清纯半导体研发经理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江苏博睿光电股份有限公司副总经理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明锴湖北大学材料科学与工程学院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University

高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学

基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学

《高性能深紫外UVC-LED研发及应用产业化》作者：陈景文，吴峰，戴江南，陈长清单位：武汉光电国家研究中心，华中科技大学，湖北深紫科技有限公司

《金属双面镜高性能表面等离激元激光器及其物理机制的研究》作者：蒋迪，陶涛，智婷，刘斌，张荣，郑有炓单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室、南京邮电大学

深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。

深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测以及国防预警等诸多领域具有非常广阔的应用前景。在适用于DUV和EUV探测的所有

夜游经济发展，消费升级，智慧城市发展的助推，信息时代智慧控制技术升级，景观照明市场呈稳步扩大趋势。华南理工大学电力电子与电力传动专业工学博士、深圳茂硕电子科技有限公司首席技术官胡炎申做了题为高性能LED智能驱动助力景观照明发展的主题报告，分析了景观照明控制系统特点与要求，景观照明控制系统架构，以及当前景观照明驱动技术面临的挑战和破局思路。

台湾交通大学的教授郭浩中在基于量子点气溶胶喷射技术的高性能全彩微显示器报告中指出，目前，光利用效率（LUE）液晶显示器仍低于2.8%。大多数无源元件，如彩色滤光片，可以吸收来自LED背光的大量光子。因此，为了满足预期的输出发光，显示器的工作功率必须大于所需功率的十倍，而RGB量子点是实现全彩色显示和解决LCD系统低光利用效率问题的一个很好的备选方案。量子点具有高的量子产率、尺寸依赖的发射波长和窄的发射半峰等特性。

南通三鑫电子科技股份有限公司总经理陈世云在2018年光亚展期间接受极智头条专访，现场分享电容行业竞争态势，并介绍了公司主推的“一高一低”拳头产品，备受客户认可和关注！