山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏:电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

视频IFWS > IFWS20222024-04-18 09:03
1040播放 · 0评论未经作者授权,禁止转载
1515
稿件投诉
电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
展开更多
分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白!
相关推荐
联系客服 投诉反馈  顶部