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  • 武汉大学教授刘强：照

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    武汉大学教授刘强：照
    照明色彩质量研究进展Recent Research Progress on Colour Quality of Lighting刘强武汉大学教授LIU Qiang Professor of Wuhan university
    60800
    guansheng2023-05-22 10:27

  • 升谱光电副总经理林胜

    8840

    升谱光电副总经理林胜
    GaAs VCSEL 先进封装技术进展及应用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林胜宁波升谱光电股份有限公司副总经理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.
    88400
    guansheng2023-05-22 10:10

  • 中国科学院苏州纳米所

    10970

    中国科学院苏州纳米所
    氮化镓基激光器和超辐射管研究进展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes刘建平中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
    109700
    guansheng2023-05-22 10:07

  • 思体尔软件技术支持工

    8730

    思体尔软件技术支持工
    Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真设计及操作关键技术进展茅艳琳苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.
    87300
    guansheng2023-05-19 15:16

  • 香港科技大学副教授黄

    8860

    香港科技大学副教授黄
    横向和纵向-Ga2O3功率MOSFET的十年进展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黄文海香港科技大学副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
    88600
    guansheng2023-05-19 14:45

  • 中国电科首席科学家冯

    17440

    中国电科首席科学家冯
    金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute
    174400
    guansheng2023-05-19 14:37

  • 南昌大学教授王光绪：

    5630

    南昌大学教授王光绪：
    硅基LED照明技术进展及应用王光绪南昌大学教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University
    56300
    guansheng2023-05-19 13:49

  • 北控水务集团技术管理

    8380

    北控水务集团技术管理
    污水处理厂深紫外消毒设计及应用进展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜军北控水务集团技术管理部水务经理Jon DUBeijing enterprise water group Limited
    83800
    guansheng2023-05-19 12:03

  • 天马微电子秦锋：Micr

    21190

    天马微电子秦锋：Micr
    Micro-LED 显示产业化进展与挑战秦锋天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
    211900
    guansheng2023-05-19 09:53

  • 中国电子科技集团首席

    21500

    中国电子科技集团首席
    SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
    215000
    guansheng2023-05-19 09:39

  • 锦浪科技技术研究中心

    13110

    锦浪科技技术研究中心
    SiC功率器件在光伏逆变器中的应用进展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters刘保颂锦浪科技技术研究中心总监LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    131100
    guansheng2023-05-19 09:07

  • 厦门大学张荣 教授:氮

    20370

    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
    203700
    guansheng2022-09-10 15:43

  • 西安电子科技大学郝跃

    29220

    西安电子科技大学郝跃
    中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技
    292200
    guansheng2022-09-10 15:38

  • 中国科学院苏州纳米技

    13700

    中国科学院苏州纳米技
    常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生
    137000
    guansheng2022-09-09 15:53

  • 山东大学徐现刚教授：

    22160

    山东大学徐现刚教授：
    半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    221600
    guansheng2022-09-09 15:50

  • 北京大学沈波教授：氮

    18180

    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    181800
    guansheng2022-09-09 15:47

  • 中科院苏州纳米所孙钱

    5550

    中科院苏州纳米所孙钱
    硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
    55500
    guansheng2022-09-01 13:42

  • 南京大学陈鹏：GaN基

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    南京大学陈鹏：GaN基
    GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学
    54400
    guansheng2022-09-01 12:38

  • 清华大学汪莱：GaN基

    5690

    清华大学汪莱：GaN基
    GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
    56900
    guansheng2022-09-01 11:30

  • 启迪半导体研发总监钮

    8380

    启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    83800
    limit2022-05-01 17:19

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