周达成授表示，在过去十年中，基于两个宽禁带（WBG）半导体（GaN和SiC）的功率开关器件正在影响功率电子系统，这是由于其良好的工业效用和改善的性能，且比传统的硅基器件的功率损耗低和能量效率高。他表示，通过模拟和实验应力（如电流崩塌和高温反偏），评估了现有......请在WIFI条件下反复观看！

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。

作为MOCVD设备的巨头之一，美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE带来了关于MOCVD最新市场及技术进展的报告。Mark MCKEE表示，非常希望以最低的成本得到最高的性能表现，一方面要提高效率，在一些关键领域发力，比如均一性方面需要......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！

美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU 分享了照明和显示应用GaN纳米结构的局部应变工程技术。Pei-Cheng Ku自2012年起，成为美国密歇根大学电机工程与计算机系副教授。现在KU教授的研究专注在“节能光电”，具体包括氮化镓光电器件、纳米光电器......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！