电子_视频搜索_第4页_半导体产业网

首页 > 视频 > 搜索

茂硕电子首席技术官胡
5350
茂硕电子首席技术官胡
夜游经济发展，消费升级，智慧城市发展的助推，信息时代智慧控制技术升级，景观照明市场呈稳步扩大趋势。华南理工大学电力电子与电力传动专业工学博士、深圳茂硕电子科技有限公司首席技术官胡炎申做了题为高性能LED智能驱动助力景观照明发展的主题报告，分析了景观照明控制系统特点与要求，景观照明控制系统架构，以及当前景观照明驱动技术面临的挑战和破局思路。
53500
limit2020-02-01 15:05
西安电子科技大学微电
12220
西安电子科技大学微电
西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势
122200
limit2020-02-01 10:36
上海三思电子工程有限
21110
上海三思电子工程有限
上海三思电子工程有限公司副总工程师姜玉稀分享了《三思智能照明系统》主题报告。他介绍，在智能之余别忘了家居，为什么是灯？首先是，强需求，位置属性，控制简单，不同用户，不同场景、不同的需求，加速智能照明家居融合发展。并介绍了三思教室智能照明系统及档案馆智慧照明系统，其中智能照明系统要求照度均匀、无眩光、无频闪、无蓝光RGO危害，采用光照度传感器，使教室内的照度在上课时间内保持恒照度。
211100
limit2019-12-31 13:11
中电科55所：SiC电力
1290
中电科55所：SiC电力
极智报告|中电科55所：SiC电力电子器件产品国产化进展
12900
limit2018-11-30 12:44
中国科学院微电子研究
21410
中国科学院微电子研究
中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
214100
limit2018-02-01 10:49
极智报告|上海三思电
11220
极智报告|上海三思电
上海三思电子工程有限公司副总工姜玉稀做了智慧路灯构建智慧城市的报告，分享了对智慧路灯、智慧路灯与物联网与AI概念的理解，以及智慧照明的实践探索。智能是针对照明的功能，而智慧可以有更多的功能，在这些功能叠加上可以产生出更多的应用，符合人类对光对道路上的要求。不同的客户对智慧路灯、智慧城市的业务需求是不同的。最早期的概念智慧路灯是无所不能的，不过要回到自己的本心。智慧路灯的确可以做很多事情，是一个很大
112200
limit2018-01-01 11:17
【极智课堂】CASA氮化
60
【极智课堂】CASA氮化
本期嘉宾苏州能讯高能半导体有限公司总经理任勉为我们分享的主题是《氮化镓主题报告（二）氮化镓（GaN）电子器件产业发展》
600
limit2024-05-17 11:09
晶科电子陈海英博士：
10
晶科电子陈海英博士：
晶科电子陈海英博士：技术工艺、标准制定与观念接受是健康照明需要面对的挑战
100
limit2024-05-17 11:09
极智报告|国家新能源
00
极智报告|国家新能源
国家新能源汽车技术创新中心筹备组组长原诚寅分享《电力电子技术在新能源汽车上应用与发展》主题报告。更多精彩报告请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，尽情看！
000
limit2024-05-17 11:09
极智新品：英飞特电子
00
极智新品：英飞特电子
极智新品：英飞特电子国内营销总经理高佳清讲解2018光亚展展品亮点
000
limit2024-05-17 11:09
极智新品：茂硕电子品
00
极智新品：茂硕电子品
极智新品：茂硕电子品牌总监陈浩讲解2018光亚展主推亮点产品
000
limit2024-05-17 11:09
极智高端访谈|茂硕电
00
极智高端访谈|茂硕电
茂硕电子总经理丁华在2018年光亚展期间接受极智头条专访，丁总阐述了茂硕电子主要深耕道路照明、工业照明、轨道交通及景观亮化四大领域，未来迈向智慧照明！
000
limit2024-05-17 11:09
极智高端访谈：三鑫电
00
极智高端访谈：三鑫电
南通三鑫电子科技股份有限公司总经理陈世云在2018年光亚展期间接受极智头条专访，现场分享电容行业竞争态势，并介绍了公司主推的“一高一低”拳头产品，备受客户认可和关注！
000
limit2024-05-17 11:09
极智报告|南京电子器
00
极智报告|南京电子器
南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G
000
limit2024-05-17 11:09
极智报告|中国电子科
20
极智报告|中国电子科
中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低
200
limit2024-05-17 11:09
极智报告|西安电子科
10
极智报告|西安电子科
西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。
100
limit2024-05-17 11:09
极智报告|中科院微电
10
极智报告|中科院微电
中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出
100
limit2024-05-17 11:09
极智报告|爱思强电力
10
极智报告|爱思强电力
德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。
100
limit2024-05-17 11:09
极智报告|南京电子器
20
极智报告|南京电子器
南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。
200
limit2024-05-17 11:09
极智报告|北京大学微
00
极智报告|北京大学微
北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告。她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。
000
limit2024-05-17 11:09