最新高性能SiC MOSFET技术助力未来SiC市场的发展趋势The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本华为股份有限公司高级首席专家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

氮化铝基半导体材料及器件的最新进展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基础研究实验室负责人、资深杰出研究员Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

英飞凌最新车规SiC产品与应用张 浩英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师

太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大学教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

车载 MEMS 激光雷达解决方案及量产落地之最新进展The latest progress for automotive grade MEMS LiDAR mass production and application solutions邵嘉平北京一径科技有限公司副总裁SHAO JiapingVice President of ZVISION Technologies Co., Ltd

SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。

奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。

奥趋光电吴亮：高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战

海雷特张哲纲博士，分享最新智能调光光源、照明控制系统、智能家居相关最新产品及新技术趋势。