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  • 【视频报告 2018】日

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    【视频报告 2018】日
    日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】加

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    【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】沙

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    【视频报告 2019】沙
    沙特国王科技大学教授李晓航分享了《半导体深紫外激光LED和设计软件》研究报告。
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    limit2021-04-29 11:00

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】南

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    【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】台

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    【视频报告 2019】台
    对于大多数固态照明技术，尤其是对于深紫外发光二极管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意义。台湾交通大学
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告】马红波教

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    【视频报告】马红波教
    西南交通大学副教授马红波分享《高效率、高可靠性多沟道HB-LED驱动电源关键技术》报告
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    limit2021-04-26 15:02

  • 英国纽卡斯尔大学视觉

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    英国纽卡斯尔大学视觉
    英国纽卡斯尔大学视觉神经科学教授、转化系统神经科学中心主任及学院院长Anya HURLBERT分享了《不同光谱对人类健康的影响》研究报告。Anya Hurlbert是英国纽卡斯尔大学视觉神经科学教授、转化系统神经科学中心主任及学院院长。她获得了普林斯顿大学物理学学士学位，剑桥大学生理学硕士学位，麻省理工学院神经科学博士学位，和哈佛医学院医学博士学位。她于2003年联合创立了纽卡斯尔神经科学研究所，担任联合主任至2014年。Hurlbert
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    limit2020-03-18 10:55

  • 【视频报告】厦门大学

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    【视频报告】厦门大学
    报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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    limit2020-03-08 10:21

  • 【极智课堂】美国伦斯

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    【极智课堂】美国伦斯
    美国智能照明工程技术研究中心主任, 美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK做了题为 LED和LED封装的未来趋势的主题报告，探讨了一些可能性，包括未来的城市照明需求、照明和视频的融合可能性、以及其他LED照明系统在未来的应用。 Robert F. KARLICEK教授有超过25年与产业领头人（包括ATT Bell Labs、EMCORE、通用电气、Gore Photonics和Microsemi）合作进行光电器件的研究、研发、和制造的经验。他的主要研究重点是开发了固态
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    limit2020-03-01 16:48

  • 【视频报告】美国伦斯

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    【视频报告】美国伦斯
    美国智能照明工程技术研究中心主任、美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK分享了《针对叶菜利用动态光谱调节提升生长效率和营养水平：初期研究》主题报告。 　　随着LED技术的发展，可以同时优化光照的光谱特性和动态特性，从而对植物生长产生有益的影响。本次讲座将重点介绍LESA最近在使用定制光谱和脉冲光生长协议促进红莴苣生长方面的一些工作，重点是提高植物生长速度和营养价值。光谱可以影响植物的整体生长效率和代谢副
    321100
    limit2020-03-01 15:42

  • 【视频报告】浙江大学

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    【视频报告】浙江大学
    浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长泮进明介绍了《LED绿光调控种蛋孵化胚胎代谢和出雏的机理研究》报告。首先探索LED绿光与种蛋孵化胚胎发育和代谢的剂量-效应关系，接着基于优选绿光剂量考察种蛋胚胎在绿光孵化期间的蛋壳特性变化和出雏阶段的营养物质变化，从出雏供能和蛋壳特征的角度探讨绿光促进胚胎出雏、减少胚胎死亡的生理学机制，为光照孵化的产业化提供应用理论指导，同时探索优化种蛋孵化出雏窗口的方法，在
    211200
    limit2020-02-04 15:43

  • 【视频报告】韩国国立

    21220

    【视频报告】韩国国立
    韩国国立首尔大学的Jung Eek SON教授分享了《作物生产系统中采用3D模型和光学模拟进行针对遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的评估》研究报告。他介绍说，在植物生产系统中，为了提高生产力和降低成本，必须提高光的利用效率，为此需要在不同的光照条件下估算冠层的光截获量。该研究以LED为光源，评估了不同生长条件下生菜的光截获、光合速率及光利用效率。采用三维扫描植物模型和射线追踪模拟方法，对莴苣的光截获率进行了估算
    212200
    limit2020-02-03 15:42

  • 【视频报告】北京工业

    32290

    【视频报告】北京工业
    北京工业大学教授郭伟玲带来了高压LED及其可靠性研究的报告，介绍了当前高压LED及其可靠性的最新研究成果。
    322900
    limit2020-02-03 15:41

  • 【视频报告】厦门大学

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    【视频报告】厦门大学
    厦门大学教授陈朝分享了紫光激发高效三基色稀土荧光粉暖白光LED的研究及其应用。陈朝教授主要开展半导体光电材料、光电器件（光伏、LED和光通信）及其领域的研究，主持过国家和福建省等多项科研任务。 其团队自主研发了紫光（390nm-400nm）激发，红、蓝、绿（RGB）高效三基色掺杂稀土荧光粉。将其涂覆在紫光LED芯片上，可发出暖的白光（发光效率：大于130 lm/W，色温3000-4000k，显色指数大于90，色坐标：0.33,0.33），其发光光谱
    124000
    limit2020-02-02 15:40

  • 【视频】西安交通大学

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    【视频】西安交通大学
    西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。
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    limit2020-02-01 16:25

  • 【视频报告】郑州大学

    21080

    【视频报告】郑州大学
    郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。
    210800
    limit2020-02-01 16:24

  • 【极智课堂】西安电子

    14870

    【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
    148700
    limit2020-02-01 16:23

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