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  • 美国俄亥俄州立大学教

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    美国俄亥俄州立大学教
    碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    67200
    limit2022-05-01 09:55

  • 复旦大学特聘教授张清

    6720

    复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    67200
    limit2022-05-01 09:48

  • 南京大学教授陆海：第

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    南京大学教授陆海：第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授，镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
    78000
    limit2022-02-01 17:38

  • 美国普渡大学Lee A. R

    4590

    美国普渡大学Lee A. R
    UVC对SARS-CoV-2等高传染性病毒控制的原理与方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美国普渡大学Lee A. Rieth讲席教授，国际紫外协会副主席、美洲分会主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 15:57

  • 东京大学副教授小熊久

    4600

    东京大学副教授小熊久
    用于水消毒的UV-LED：研究与应用前沿UV-LEDs for Water Disinfection: The Forefront of Research and Application小熊久美子--东京大学副教授、国际紫外协会副主席、亚洲分会主席Kumiko OgumaAssociate Professor of University of Tokyo, Asian Regional Vice President of IUVA
    46000
    limit2022-02-01 14:38

  • 瑞典皇家理工学院教授

    8760

    瑞典皇家理工学院教授
    用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
    87600
    limit2022-01-31 13:50

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

    9960

    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    99600
    limit2022-01-31 13:44

  • 视频报告 2018--美国

    21640

    视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙
    216400
    limit2021-04-29 12:37

  • 【视频报告 2018】加

    6670

    【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30

  • 【视频报告 2018】北

    8630

    【视频报告 2018】北
    北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
    86300
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】南

    12690

    【视频报告 2018】南
    南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大
    126900
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】香

    24250

    【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
    242500
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】南

    18970

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
    189700
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】台

    9030

    【视频报告 2018】台
    来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
    90300
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】厦

    14780

    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
    147800
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】复

    9220

    【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。
    92200
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】复

    6530

    【视频报告 2018】复
    复旦大学副教授张树宇在《135%NTSC色域的CsPbX3钙钛矿量子点薄膜》主题报告中表示，全无机CsPbX3 (X=I, Br, Cl)钙钛矿量子点(QDs)由于其优异的光学性能，包括极高的光致发光量子产率、狭窄的谱线宽度和广泛的可调发射，很可能成为下一代量子点显示技术。在制造过程中避免高温和惰性气氛的新方法是室温(RT)再结晶，为低成本大批量生产CsPbX3 QDs提供了一条很有前途的途径。然而，RT合成的QDs在工作条件下的稳定性性能与传统QDs不具
    65300
    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】Vic

    18540

    【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】Mie

    9880

    【视频报告 2018】Mie
    瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》，报告中介绍了由瑞典创新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
    98800
    limit2021-04-29 12:26

  • 【视频报告 2018】P.S

    24640

    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246400
    limit2021-04-29 12:25

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