【视频报告 2018】北京大学陈志忠教授:Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LE

视频SSLCHINA2022-02-11 16:49
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北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出,我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
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