• 【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告;
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》;
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性:我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域(如5G通讯基站)具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境,对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程,从产品设计,工艺开发,器件生产,到最终筛选测试,每一个环节都按严格的程序进行,确
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度,这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告,分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【视频报告 2019】奥
    奥趋光电技术(杭州)有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。
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    limit2021-04-29 11:04
  • 【视频报告 2019】苏
    报告嘉宾:苏州晶湛半导体有限公司市场总监朱丹丹博士 报告主题:《针对大功率应用的硅基氮化镓技术》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【极智课堂】芯谋研究
    芯谋研究总监李国强 《功率半导体的市场分析》
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    limit2021-04-26 16:21
  • 西安卫光科技微晶微电
    西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》
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    limit2020-02-02 16:22
  • 【视频报告】有研稀土
    作为基础材料,荧光粉的技术水平与半导体照明发展密切相关,有研稀土新材料股份有限公司副总经理、教授级高级工程师刘荣辉分享了大功率照明用荧光材料研发进展。 当前,LED照明光源呈现出朝着大电流密度、高光效方向发展,第三代半导体照明向着高能、短波特性方向发展等趋势,现有大功率照明存在着结温高、散热量大,结温高降低产品使用寿命,温度高荧光粉量子效率降低,温度高硅胶热应力增大、折射率降低等问题,可以通过荧光粉料
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    limit2020-02-01 15:40
  • 芯谋研究总监李国强:
    芯谋研究总监李国强:功率半导体的市场分析
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    limit2020-02-01 10:39
  • 加拿大多伦多大学教授
    加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东,多伦多大学电子与计算机工
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    limit2020-01-28 12:45
  • 荷兰代尔夫特理工大学
    荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告,介绍了宽禁带功率半导体国际技
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    limit2019-12-31 12:41
  • 英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术:从器件、封装、到系统》研究报告
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    limit2019-12-30 13:03
  • 日本德岛大学教授敖金
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
    323600
    limit2019-12-29 13:00
  • 奥趋光电吴亮:高功率
    奥趋光电吴亮:高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战
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    limit2019-05-31 17:37
  • Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与,共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43
  • 株洲中车时代电动汽车
    极智报告|株洲中车时代电动汽车股份有限公司副总经理刘国友:新能源汽车用功率器件解决方案报告。更多专业学术报告,请点击页面顶端下载极智头条APP,海量报告,免费看!
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    limit2018-11-26 12:41
  • 极智报告|北京工业大
    北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点阿实验室教授郭伟玲分享了光功率计算对LED热阻测试的影响主题报告。她表示,热阻是衡量LED性能的重要参数,在LED热阻测试中,其电能不仅转化成热能,还有20%或更多的能量转化为光能。而目前大部分的热阻测试仪并非专门为测试LED设计,且对是否计算光耗散功率的标准并不统一。  通过标准电学参数法分别对不同封装(仿流明,SMD2835,XB-D封装)相同输出功率(1W)的正装LED;相同封装(S
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    limit2018-02-01 11:08
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