湖北大学何云斌:Ga2O
9580
厦门大学龙浩:氧空位
5430
南京大学王海萍:基于
5450
太原理工大学崔艳霞:
北京大学孙栋: 基于拓
4220
中国科学院半导体研究
6450
厦门大学张荣教授:Ⅲ
9820
吴挺竹:利用ALD技术
800
郭炜:III族氮化物极
1940
陆文强:一维ZnGa2O4
330
汤潇:全溶液法沉积柔
1720
张昊宸:具有超高光响
500
杨伟锋:碳化硅(4H-Si
3050
何云斌:ZnO多元合金
陈敦军:高增益AlGaN
460
詹腾:金属氧化物/AlG
1380
汪丹浩:基于宽禁带铝
1090
楚春双:基于III族氮
1890
周玉刚:基于Ag、Mg金
1580
孙海定:AlGaN基紫外
630