中国科学院半导体研究所梁萌分享了“二位缓冲层氮化物异质外延”研究报告；他介绍说，石墨烯缓冲层氮化物异质外延，初步实现了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯边界与Bridge site，将优先成核位置。我们在石墨烯上来进行一个类似纳米柱上的生长，做了一些研究，通过调整晶核生长得到纳米柱的结构，在图形化的衬底上也长出来一些趋向比较一致的石墨烯的纳米柱，但是这根趋向一致性主要是硅的衬底，因为石墨烯是单纯的材料，石墨烯生长会受到衬底的影响，所以硅是单层多层，单层的话趋向是非常一致的，层数变多会有一定的紊乱，加氮受到衬底的

该视频为：中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授赵丽霞，主讲的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》学术报告。