• 中国电子科技集团首席
    SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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    guansheng2023-05-19 09:39
  • 极智报告|中国电子科
    中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家,国际电工技术标准委员会专家,研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中,冯志红表示,氮化镓与氮化铝是非常好的搭配,会带来比较高的功率,相比其他一些结构更加优化,也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域,希望增加输出功率。结合具体的建模分析,冯志红表示,降低延迟,为了获得信号而降低
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    limit2024-03-29 19:33
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