《一种通过提高界面处sp2-碳含量改良4H-SiC欧姆接触的方法》作者：刘少煜，程新红，郑理，刘晓博，俞跃辉单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

《二维材料上氮化物半导体准范德华外延界面调控研究》作者：刘放，王涛，张智宏，申彤，杨怀远，盛博文，荣新，陈兆营，刘开辉，李新征，沈波，王新强单位：北京大学