最新高性能SiC MOSFET技术助力未来SiC市场的发展趋势The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本华为股份有限公司高级首席专家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

高性能SiC解决方案赋能新一代主驱应用朱晓慧杭州士兰微电子股份有限公司功率系统应用技术高级经理

基于液态金属打印和飞秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3气体传感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龙皇家墨尔本大学微纳研究院研究员XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University

电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏山东大学新一代半导体材料研究院研究员CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

AECQ-101车规级认证的高性能1200V SiC MOS器件史文华清纯半导体研发经理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江苏博睿光电股份有限公司副总经理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。