高功率宽禁带半导体射频器件研究进展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices张进成西安电子科技大学副校长、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University

AlN基高压高频功率器件研究进展及挑战Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安电子科技大学教授ZHOUHongProfessor at Xidian University

双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鹏飞西安电子科技大学Wang PengfeiXidian University

SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孙乐嘉西安电子科技大学副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University

MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University

氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices张进成西安电子科技大学副校长、教授（团队代讲）

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

极智报告|西安特锐德智能充电科技有限公司总工程师王利强 ：电动汽车充电技术发展及SiC应用。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势