OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告，报告中将首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。检查各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器来演示这些工艺的性能

日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。

集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。

一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。

与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种

南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。

视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两

报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》

报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。