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  • 大连理工大学教授王德

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    大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
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    limit2022-05-01 10:00

  • 中电科四十八所半导体

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    中电科四十八所半导体
    SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    68700
    limit2022-05-01 09:57

  • 欣锐科技董事长吴壬华

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    欣锐科技董事长吴壬华
    SiC器件在新能源汽车产业中的应用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吴壬华深圳欣锐科技股份有限公司董事长WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
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    limit2022-05-01 09:54

  • 复旦大学特聘教授张清

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    复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    67200
    limit2022-05-01 09:48

  • 厦门大学张荣教授：Ⅲ

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    厦门大学张荣教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    99600
    limit2022-01-31 13:44

  • 视频报告 2017---功率

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    视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
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    limit2021-04-29 12:39

  • 【视频报告 2018】周

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    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】苏

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    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】AIX

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    【视频报告 2018】AIX
    一直以来，高功率密度电动汽车电力驱动系统是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战，宽禁带功率器件的应用，将对新一代电动汽车的发展产生重要影响。德国亚琛工业大学教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【视频报告 2019】河

    12600

    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告 2019】Ism

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    【视频报告 2019】Ism
    视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
    76700
    limit2021-04-29 10:23

  • 【极智课堂】西安电子

    14870

    【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
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    limit2020-02-01 16:23

  • 中国科学技术大学龙世

    13170

    中国科学技术大学龙世
    131700
    limit2020-02-01 10:50

  • 美国NAURA-Akrion, In

    21260

    美国NAURA-Akrion, In
    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
    212600
    limit2019-12-31 13:02

  • 加拿大CROSSLIGHT半导

    32450

    加拿大CROSSLIGHT半导
    加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明分享了《宽禁带器件的设计和TCAD模拟》研究报告。早年经华人诺奖得主李政道博
    324500
    limit2019-12-30 13:04

  • 英诺赛科研发中心副总

    22280

    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
    222800
    limit2019-12-30 13:03

  • 日本德岛大学教授敖金

    32360

    日本德岛大学教授敖金
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
    323600
    limit2019-12-29 13:00

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