碳化硅单晶缺陷研究及产业化进展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陈秀芳山东大学教授、南砂晶圆董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

提拉式物理气相传输法制备碳化硅单晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝东浙江大学教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University

SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任国强中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

氮化铝单晶材料研究进展与应用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程红娟中国电子科技集团第四十六所新材料研发中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute

-Ga2O3单晶的体晶生长与性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山东大学副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University

应用于垂直器件的高电导率GaN单晶衬底制HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices王建峰苏州纳维科技有限公司总经理WANG JianfengGeneral Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd

报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》

报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。