GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.

硅衬底GaN基光电材料外延生长Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

基于量产的氮化镓基光电子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA苏州思体尔软件科技有限公司总经理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.

氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京邮电大学副教授、苏州镓和半导体研发总监LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江苏博睿光电股份有限公司副总经理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

GaAs VCSEL 先进封装技术进展及应用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林胜宁波升谱光电股份有限公司副总经理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.

金刚石深紫外光电探测器研究Deep ultraviolet photodetectors based on diamond杨珣郑州大学副教授YANG XunProfessor of Zhengzhou University

Ga2O3光电二极管的可控制备及应用Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes卢红亮复旦大学微电子学院教授LU HongliangProfessor of Fudan University

超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用陆海镓敏光电董事长、南京大学教授LU HaiProfessor of Nanjing University

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奥趋光电技术（杭州）有限公司研发总监（CTO）

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种

南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长，设计和制造方面的最新工作。

化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领

西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。