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2025云南晶体大会前瞻|云南临沧鑫圆锗业包世涛:中国锗产业发展现状与高
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发展路径展望
Science Advances:南京大学联合团队突破外延衬底限制,实现非晶衬底上高
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半导体薄膜外延生长
镓仁半导体8英寸氧化镓衬底
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检测结果揭晓,国际领先!
央企制造业首家!中国中车获可信AI人工智能数据集
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最高评级
国际首发!深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高
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GaN外延
江苏集芯首枚8英寸液相法高
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碳化硅单晶出炉!
Science Advances:南京大学联合团队突破外延衬底限制,实现非晶衬底上高
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半导体薄膜外延生长
武大、西电合作攻克范德华外延氮化镓高
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成核与生长难题,为跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成扫清了关键障碍
深圳出台10条举措促进半导体与集成电路产业高
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发展
广州开发区 黄埔区支持集成电路产业高
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发展若干政策措施发布
17家车企统一供应商账期至60天,共促汽车产业高
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发展
刷新纪录!郑州大学实现大尺寸高
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金刚石激光晶体批量生长
大连理工大学团队:通过提高晶体
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增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
工业和信息化部等九部门印发《关于加快推进科技服务业高
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发展的实施意见》
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高
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GaN单晶衬底
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利,有效提高所制得碳化硅晶体的
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瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利,可提高碳化硅外延片
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安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利,提升远场图像FFP
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、光束
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因子和激光相干性
全国人大代表张春生:优化新材料产业项目环评审批,为高
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发展提供有力支撑
赛迈科吴厚政:精细石墨元件 化合物半导体高
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产业化的关键支撑 |CASICON重庆站
镓仁半导体董事长张辉:大尺寸高
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氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
浙江出台46项政策推动经济高
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发展,集成电路被划重点
工信部等八部门联合印发《新型储能制造业高
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发展行动方案》
六部门联合印发促进数据产业高
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发展指导意见
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利,提高SiC衬底
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安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利,提升光束
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因子
中科飞测第1000台集成电路
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控制设备出机
商务部:推动国家第三代半导体技术创新中心(苏州)高
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发展
强芯沙龙·会客厅四场高
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对话 直面第三代半导体产业发展痛点
天岳先进向客户成功交付高
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低阻P型碳化硅衬底
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