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广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利，解决图形化衬底均一性降低问题
 评论 ⋅  2024-12-23 15:14
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 10:41
天岳先进携12英寸导电N型碳化硅衬底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先进SEMICONJAPAN碳化硅SiC12英寸碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-17 10:48
天岳先进荣膺“中国SiC衬底影响力企业”首位及“8英寸SiC先锋”
 评论 ⋅  2024-12-16 11:05
新美光“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 16:02
超芯星入驻江北新区集成电路基地，全面开启8英寸碳化硅单晶衬底量产
 评论 ⋅  2024-12-09 17:06
海外首发！天岳先进300mmN型碳化硅衬底全新亮相
 评论 ⋅  2024-11-14 09:11
天科合达8英寸SiC衬底二期项目开工！
 评论 ⋅  2024-11-12 18:29
天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-11-06 14:03
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角装置专利，可实现自由设计倒角形状
 评论 ⋅  2024-10-29 11:35
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
晶盛机电：产品优势体现在全产业链核心装备供应能力，半导体大硅片设备国际领先，公司高品质碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流
 评论 ⋅  2024-10-16 11:34
中国6英寸碳化硅衬底价格暴跌，将低至每片400美元
 评论 ⋅  2024-10-15 12:03
博蓝特碳化硅衬底项目已投产
 评论 ⋅  2024-10-15 12:03
科友半导体成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备
 评论 ⋅  2024-10-09 14:42
8英寸碳化硅衬底 重庆三安项目已实现衬底厂点亮通线
 评论 ⋅  2024-09-19 15:11
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
 评论 ⋅  2024-09-12 10:48
捷报！合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
 评论 ⋅  2024-09-10 22:47
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
重庆三安8英寸碳化硅衬底厂月底投产
 评论 ⋅  2024-08-30 16:44
安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目投产
 评论 ⋅  2024-08-30 16:11
安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目投产
 评论 ⋅  2024-08-29 16:40
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
碳化硅衬底龙头天岳先进披露中报：营收净利大幅增长，持续领跑碳化硅行业
 评论 ⋅  2024-08-26 14:54
天科合达扩产6/8英寸碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-08-21 17:22
三安光电：重庆三安项目预计8月底将实现衬底厂点亮通线
 评论 ⋅  2024-08-01 16:14
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