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光来精密电子项目月底前主体
结构
就可实现全部封顶
“芯庐州”集成电路产业园一期项目主体
结构
封顶
拓荆科技半导体先进工艺装备研发与产业化项目
结构
封顶
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰:高速低损耗SOI LIGBT新
结构
与机理研究
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉:《氮化镓功率器件
结构
、驱动和电源应用
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件
结构
及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
捷捷微电子“一种带有超结
结构
的屏蔽栅IGBT”专利公布
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图
结构
专利,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
长鑫存储“半导体
结构
及其形成方法、存储器”专利公布
比亚迪半导体申请终端
结构
及其制造方法以及功率器件专利,能够提高耐压值
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利,提高整个异质集成
结构
的热导率
晶合集成申请半导体
结构
及其制备方法专利
中芯国际“电容器
结构
及其形成方法”专利公布
华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目主体
结构
顺利封顶
长电科技申请光电芯片互联封装
结构
及其制备方法专利
华南师范大学王幸福:GaN微纳
结构
及其光电子器件研究
GaN微纳米器件
紫外探测器件
光谷筑芯科技产业园主体
结构
提前封顶
比亚迪半导体申请半导体器件终端
结构
、制备方法及半导体器件专利
北京大学申请半导体器件
结构
专利
大阪公立大学梁剑波:增强 GaN/3C-SiC/金刚石
结构
的散热性能,以适应实际器件应用
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯
结构
的新型GaN垂直晶体管研究
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强:增强型功率氮化镓器件
结构
设计进展
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面
结构
——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰:高导热GaN/金刚石
结构
制备及器件性能
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇:氧化镓缺陷研究,合金工程电子
结构
调制以及日盲光电探测器的开发
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华:750V SiC MOSFET元胞
结构
对器件特性的影响研究
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠:利用沟槽
结构
生长高效率InGaN红光
旭光电子:氮化铝
结构
件已应用于半导体光刻工艺等 且实现销售
杭州宝鼎乾芯6英寸半导体项目主体
结构
全部完成
润鹏半导体12英寸集成电路生产线项目主体
结构
封顶
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