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CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬:功率半导体集成技术
研究
进展
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/碳化硅新型异质散热结构的器件应用
研究
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟:基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件
研究
研究
机构:2024年全球芯片市场规模达6830亿美元,英飞凌、意法半导体跌出前十
CSPSD 2025前瞻|中电科四十六所兰飞飞:金刚石材料
研究
进展
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源
研究
院陈中圆:基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法
研究
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊:新型多级沟槽氧化镓功率器件的
研究
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文:高性能SiC功率器件关键技术
研究
进展
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟:高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型
研究
CSPSD 2025前瞻|工信部第五
研究
所施宜军:P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰:氮化镓功率器件辐射效应与加固技术
研究
西湖大学光电
研究
院仇旻当选欧洲科学院院士
中国科学院宁波材料技术与工程
研究
所郭炜
研究
员在GaN HEMT器件
研究
中取得新进展
中国科学院半导体
研究
所光电子材料与器件全国重点实验室诚邀全球英才加盟
中车株洲电力机车
研究
所李东林在人民大会堂接受“全国劳动模范”表彰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所投影式光刻机采购项目(第二次)公开招标公告
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所投影式光刻机采购项目(第二次)公开招标公告
复旦大学先进光刻胶材料教育部工程
研究
中心正式成立
国家工程
研究
中心最新突破:磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
厦门大学-厦门市未来显示技术
研究
院团队在钙钛矿窄带光电探测器
研究
中取得重要突破
国内首个!中国电科产业基础
研究
院研发金刚石氮空位色心微波激射器
工信部:推进5G-A、6G、量子保密通信等标准
研究
中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器
研究
中取得新进展
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应
研究
方向取得重要进展
西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新
研究
成果
重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
中国科学院联合纳米器件
研究
部在日盲紫外探测领域取得新进展
兰州大学
研究
团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
浙江大学柯徐刚
研究
员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具
研究
方面取得新进展
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