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中国科学院宁波材料技术与工程
研究
所郭炜
研究
员在GaN HEMT器件
研究
中取得新进展
中国科学院半导体
研究
所光电子材料与器件全国重点实验室诚邀全球英才加盟
中车株洲电力机车
研究
所李东林在人民大会堂接受“全国劳动模范”表彰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所投影式光刻机采购项目(第二次)公开招标公告
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生
研究
所投影式光刻机采购项目(第二次)公开招标公告
复旦大学先进光刻胶材料教育部工程
研究
中心正式成立
国家工程
研究
中心最新突破:磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
厦门大学-厦门市未来显示技术
研究
院团队在钙钛矿窄带光电探测器
研究
中取得重要突破
国内首个!中国电科产业基础
研究
院研发金刚石氮空位色心微波激射器
工信部:推进5G-A、6G、量子保密通信等标准
研究
中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器
研究
中取得新进展
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应
研究
方向取得重要进展
西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新
研究
成果
重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
中国科学院联合纳米器件
研究
部在日盲紫外探测领域取得新进展
兰州大学
研究
团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
浙江大学柯徐刚
研究
员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具
研究
方面取得新进展
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管
研究
方向取得重要进展
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新
研究
进展
前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术
研究
所游天桂将出席“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”并做报告
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测
研究
领域取得新进展
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学
研究
上取得重要进展
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件
研究
成果
南科大深港微电子学院于洪宇、王中锐、汪青
研究
团队在LiNbO3压电声表面波相移器领域取得新进展
西安电子科技大学苏杰副教授以共同第一作者在Science发表
研究
成果
智源
研究
院发布2025十大AI技术趋势
松山湖材料实验室二维半导体柔性中规模集成电路
研究
进展
南京邮电大学
研究
团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
中南钻石联合中国电科第十三
研究
所在金刚石NV色心领域取得重要进展
第
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