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中国科大
研制
出高效超稳定钙钛矿LED
中国科大
研制
出一种全方向表面等离子体波照明器件
北京大学团队成功
研制
无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品
研制
进展
工信部:加快自动驾驶系统安全要求 强制性国家标准
研制
浙江大学
研制
出90纳米像素尺寸LED
2025JFSC平行论坛11丨第三代半导体产品评测与标准
研制
,精彩议题抢先看
中国科学技术大学团队
研制
出毫秒级可集成量子存储器
全球首发!复旦团队
研制
二维半导体芯片“无极”
实现技术突破!我国成功
研制
出这一光子芯片
研制
成功!我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
总投资8亿元!御微半导体设备
研制
项目签约落地浦东
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件
研制
成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率器件
研制
成功并验证
核能安全所在超宽禁带材料半导体辐射探测器
研制
方面取得新进展
中南大学团队
研制
出偏振、谐振腔等光场调控Micro-LEDs
中国科学院
研制
出新型锆钛酸铅光子集成工艺开发套件
镓仁半导体成功
研制
氧化镓超薄6英寸衬底
中航红外新一代化合物半导体
研制
基地项目启动生产线调试
清华大学功率半导体用氮化硅基板烧结装备
研制
项目签约湖南企业
上海临港新一代化合物半导体
研制
基地项目通过竣工验收
上海临港新一代化合物半导体
研制
基地项目通过竣工验收
青禾晶元领跑国际,成功
研制
8寸高性能滤波器用压电材料POI衬底
半导体所
研制
出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
联合攻关成果!1700V GaN HEMTs器件
研制
成功
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功
研制
一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
中国科学院半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片
研制
取得新进展
半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片
研制
取得新进展
山东粤海金成功
研制
出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片
高盟新材
300200.SZ
半导体材料
粤海金
碳化硅
单晶
衬底片
8英寸
日本团队:金刚石MOSFET
研制
取得最新进展
钻石
MOSFET
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