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报告前瞻| 阳光电动力万富翔:新一代功率器件并联
技术
在电驱系统的应用
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
韩报告:大多数半导体
技术
被中国赶超
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
天科合达与慕德微纳签署投资合同,共推AR眼镜镜片
技术
创新
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展
北京大学王剑威、龚旗煌课题组在连续变量光量子芯片领域取得重大突破
前瞻|国家新能源汽车
技术
创新中心刘朝辉将出席“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”并做报告
报告前瞻|湖南三安半导体许志维:SiC MOSFET器件
技术
之发展与挑战
Wolfspeed第4代碳化硅
技术
:重新定义高功率应用的性能和耐久性
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
黄维院士团队在柔性聚合物发光二极管应变稳定性方面取得重要进展
青禾晶元新厂房开工,助力半导体先进键合
技术
迈向新高度
南开大学研发光学焦平面阵列堆叠芯片,实现毫米波高速成像
KAUST实现千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
前瞻|中国科学院上海微系统与信息
技术
研究所游天桂将出席“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”并做报告
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET
技术
平台
汽车激光雷达与纯视觉
技术
方案,谁主沉浮?
推动“
技术
首创”到“产品首发”!新春伊始,光谷这些产业创新联合实验室加速攻关
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
中国光子毫米波雷达
技术
取得突破性进展
厦大团队突破:量子点发光微球打造超高效明亮Micro-LEDs
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.:用于超高分辨率micro-LED显示器的远程外延晶体钙钛矿
Nature Review EE:第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
KAUST AM论文:Ga2O3 晶相异质结
宽禁带半导体超越照明材料与
技术
全国重点实验室重组获批!
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