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武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-23 11:38
晶隆半导体材料及器件产业化项目开工
 评论 ⋅  2024-02-22 17:03
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
 评论 ⋅  2024-02-21 09:45
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-02-20 14:12
常州国家高新区发布十佳重点项目，宏微新型功率半导体器件项目上榜
 评论 ⋅  2024-02-19 12:01
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
 评论 ⋅  2024-02-08 19:58
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
碳化硅功率器件公司至信微电子获深重投及深高新投投资
 评论 ⋅  2024-01-31 10:56
长飞光学与半导体石英元器件研发及产业化项目封顶
 评论 ⋅  2024-01-29 10:33
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
91.9万人次参与投票，“2023年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”专家评审进行中
 评论 ⋅  2024-01-24 10:47
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应
 评论 ⋅  2024-01-23 10:53
江苏诚盛科技麒思大功率器件项目发布今年量产
 评论 ⋅  2024-01-22 14:05
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
投资9亿元！诚盛科技—麒思大功率器件项目8月量产
 评论 ⋅  2024-01-19 09:21
华为公司申请功率器件专利，提高半导体器件的可靠性
 评论 ⋅  2024-01-18 16:58
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
中科潞安量产产品性能再升级 大功率UVC-LED器件实验室效率破9.5%
中科潞安深紫外UVC-LED
 评论 ⋅  2024-01-15 08:47
西安新增一个大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目
大功率电力半导体器件新型功率器件产业化项目
 评论 ⋅  2024-01-11 15:11
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
中芯集成-U取得半导体器件专利，可更为精确控制电极材料层消耗量
 评论 ⋅  2024-01-08 14:36
中科光芯高速率光芯片及光通信核心器件生产基地项目正式启动
中科光芯高速率光芯片光通信器件
 评论 ⋅  2024-01-04 14:18
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
700+入围企业揭晓，“2023年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”进入公众投票阶段
 评论 ⋅  2024-01-02 16:44
益中封装扩建车规Si/SiC器件先进封装产线
 评论 ⋅  2023-12-29 17:33
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工线项目通线投产 总投资10亿元
 评论 ⋅  2023-12-28 17:51
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