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南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
中微半导体设备申请双腔处理系统及气体供应方法专利
 评论 ⋅  2024-11-04 14:10
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 10:10
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
重庆芯联微电子申请掩膜版图形及其优化方法专利，解决集成电路版图工艺缺陷
 评论 ⋅  2024-10-31 17:17
粤芯半导体申请光刻机对准方法专利，平衡晶圆中切割道与芯片的研磨速率
 评论 ⋅  2024-10-31 17:11
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
深圳市联微半导体取得定位装置专利，能够具有较低的成本
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
北方华创“工艺配方的管理控制方法、装置及半导体设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:34
智芯微“用于电源监测的嵌入式系统、解码方法和解码芯片”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:33
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角装置专利，可实现自由设计倒角形状
 评论 ⋅  2024-10-29 11:35
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置专利，抛光效率高
 评论 ⋅  2024-10-29 11:28
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
中芯国际申请光刻机焦距监控相关专利，实现在线焦距监控且对产品晶圆图形影响小
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
华海清科“驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 11:01
北方华创“一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 10:54
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
昂瑞微“一种芯片及其UserID检测电路”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:52
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
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