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杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
武汉新芯取得清洗装置及半导体制造设备专利，去除晶圆边缘残留物避免影响后续工艺
 评论 ⋅  2024-10-17 14:46
和其光电“用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:44
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
中科飞测“光束整形系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-12 10:15
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
通富微电“半导体测试系统的控制方法及半导体测试系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-10 15:30
厦门三安集成电路申请射频功率放大器相关专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:50
忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:45
芯联集成“外延设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-23 15:34
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利，减少剥离液中的腐蚀
 评论 ⋅  2024-09-19 17:01
芯源微获得发明专利授权：“晶圆搬运装置及晶圆搬运方法”
 评论 ⋅  2024-09-18 11:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
智芯微“光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-09-10 09:58
士兰微“MEMS微镜及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-10 09:57
福建平潭瑞谦智能科技取得一种用于半导体模块封装的视觉检测设备专利
 评论 ⋅  2024-09-09 14:11
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
士兰微“功率封装结构及其引线框”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-06 11:59
扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
盛合晶微半导体（江阴）申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利，实现高密度封装
 评论 ⋅  2024-09-04 14:55
华羿微电取得一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法专利，提升器件整体的 SOA
 评论 ⋅  2024-09-03 11:03
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