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上海积塔半导体取得半导体结构专利，提升开关驱动效率
 评论 ⋅  2025-06-12 15:58
北方华创“半导体设备的工艺腔室”专利公布
 评论 ⋅  2025-06-12 13:41
专利公开 | 多家单位半导体激光器相关专利申请/授权公开
 评论 ⋅  2025-06-05 10:01
甬矽电子获得发明专利授权：“半导体封装方法和半导体封装结构”
 评论 ⋅  2025-06-04 11:31
晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制作方法”
 评论 ⋅  2025-05-28 14:22
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2025-05-22 18:12
中科飞测“转换关系获取方法、检测方法和相关设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-05-12 17:29
泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-24 17:16
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-21 15:58
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利，有效提高所制得碳化硅晶体的质量
 评论 ⋅  2025-04-17 11:44
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法专利，降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
 评论 ⋅  2025-04-16 19:36
苏州长光华芯取得模式调控半导体发光结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2025-04-16 19:27
中科新源半导体“一种半导体芯片升降温用微射流换热装置”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-14 17:11
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
北方华创“晶舟结构、半导体热处理设备及其控制方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-07 19:05
江西誉鸿锦取得亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法专利
 评论 ⋅  2025-04-02 17:39
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
镓特半导体取得一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器专利，能够提升氮化镓晶圆片生长尺寸
 评论 ⋅  2025-03-31 10:38
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的专利，能够明显提高原料利用率
 评论 ⋅  2025-03-26 19:09
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法专利，显著降低生产成本
 评论 ⋅  2025-03-20 16:55
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
 评论 ⋅  2025-03-20 11:03
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
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