首页 > 新闻资讯 > 搜索
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-12 13:55
芯联集成“一种半导体结构及其形成方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-11 16:07
新美光“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 16:02
泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-11 15:52
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
北方华创“工艺气体喷嘴及半导体工艺腔室”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-11 16:33
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-04 17:50
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
中微半导体设备申请双腔处理系统及气体供应方法专利
 评论 ⋅  2024-11-04 14:10
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 10:10
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
重庆芯联微电子申请掩膜版图形及其优化方法专利，解决集成电路版图工艺缺陷
 评论 ⋅  2024-10-31 17:17
粤芯半导体申请光刻机对准方法专利，平衡晶圆中切割道与芯片的研磨速率
 评论 ⋅  2024-10-31 17:11
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
深圳市联微半导体取得定位装置专利，能够具有较低的成本
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部