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基金委部署集成芯片前沿技术科学基础研究计划
国家自然科学基金委集成芯片前沿技术重大研究计划芯粒
 评论 ⋅  2023-12-18 10:55
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
北京大学无锡EDA研究院，揭牌！
 评论 ⋅  2023-12-14 19:16
北京大学无锡EDA研究院在无锡高新区揭牌
 评论 ⋅  2023-12-14 16:14
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
NEC全彩LED恒晶屏点亮文献资料研究馆
 评论 ⋅  2023-12-07 15:57
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│国星光电研究院赵龙：Micro LED显示技术及其产业化应用趋势
 评论 ⋅  2023-12-07 10:22
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
安徽公布首批高水平新型研发机构，西安电子科技大学芜湖研究院等上榜
 评论 ⋅  2023-12-05 15:10
研究机构：2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元，中国占44%
 评论 ⋅  2023-12-05 14:08
IFWS 2023│南京大学蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:53
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
SSLCHINA2023│厦门大学林岳：基于电流体微喷印的 Micro-LED量子点胶体色转换全彩化技术研究
 评论 ⋅  2023-11-27 19:43
SSLCHINA2023│光品质与光健康医疗技术研究持续深入
 评论 ⋅  2023-11-27 18:41
日本Rapidus、东京大学与法国研究机构合作开发1nm制程半导体
 评论 ⋅  2023-11-17 16:06
矽力杰获批宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心
 评论 ⋅  2023-11-14 16:29
国家自然科学基金委发布“未来集成电路新理论与技术基础研究”专项项目申请指南
 评论 ⋅  2023-11-14 16:08
东南大学溧阳研究院中标《高压碳化硅功率模组封装与集成技术研究服务》项目
 评论 ⋅  2023-11-10 16:20
北理工团队在电力需求响应方面取得研究成果
 评论 ⋅  2023-11-08 10:02
西安交大-清华联合研究团队在热电半导体材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-11-07 17:29
中国移动研究院开放白盒6G毫米波宏站AAU项目招标
 评论 ⋅  2023-10-11 13:57
论文推介丨山东大学 · Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究
 评论 ⋅  2023-10-09 16:03
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