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我国科研人员“以柔克刚”填补微型LED晶圆无损测试技术空白
 评论 ⋅  2025-06-16 08:40
北京：鼓励企业积极应用虚拟现实、人工智能、元宇宙等新技术
 评论 ⋅  2025-06-10 08:54
采用碳化硅革新电力电子技术，开拓可持续解决方案
 评论 ⋅  2025-06-09 15:06
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
从8英寸量产到12英寸突破！合盛硅业全链条攻克SiC核心技术再攀高峰！
 评论 ⋅  2025-06-03 09:53
TMC2025 国际汽车动力系统技术年会终版日程发布
 评论 ⋅  2025-05-29 14:57
全国首个TGV技术产业联盟成立
 评论 ⋅  2025-05-29 14:04
迈为技术珠海半导体装备产业园这一项目正式开工
 评论 ⋅  2025-05-22 14:10
效率损耗双领跑！大族半导体SiC晶锭激光剥片技术单片15min单耗470μm！
 评论 ⋅  2025-05-20 15:33
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学陈静：智能TCAD技术—AI赋能微纳电子器件的仿真、建模与设计
 评论 ⋅  2025-05-20 09:35
2025车用功率半导体应用技术培训会在广州南沙成功举办
 评论 ⋅  2025-05-19 10:14
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET关键技术新进展
 评论 ⋅  2025-05-19 10:06
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
友达光电执行长暨总经理柯富仁：Micro LED显示技术将成主宰AI应用终极武器
 评论 ⋅  2025-05-15 07:50
CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬：功率半导体集成技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:16
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
英飞凌与美的签署战略合作协议：聚焦技术创新与智能绿色生活
 评论 ⋅  2025-05-14 10:10
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|扬杰科技施俊：SiC功率器件的技术发展和应用、挑战和未来趋势
 评论 ⋅  2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|国联万众王川宝：SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展
 评论 ⋅  2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半导体技术创新中心有限公司李士颜:新一代SiC功率MOSFET产品研制进展
 评论 ⋅  2025-05-12 11:11
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇：破界·赋能·引领——化学气相法碳化硅衬底技术创新开启未来产业新纪元
 评论 ⋅  2025-05-12 11:03
CSPSD 2025前瞻| 中国科学院上海微系统所程新红：宽禁带半导体3D集成技术
 评论 ⋅  2025-05-09 11:40
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
英飞凌推出SiC沟槽型超结（TSJ）技术
 评论 ⋅  2025-05-09 10:03
TMC2025车规级功率半导体论坛剧透：破解新能源“卡脖子”技术
 评论 ⋅  2025-05-08 15:22
CSPSD 2025前瞻|济南大学张春伟：场板技术中的电场调制机制：基于电荷的视角
 评论 ⋅  2025-05-08 10:43
九峰山实验室2025技术服务体系发布
 评论 ⋅  2025-05-08 09:43
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
 评论 ⋅  2025-05-07 17:12
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