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成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
 评论 ⋅  2023-05-15 18:05
科友6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破
 评论 ⋅  2023-05-12 17:05
南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-05-12 16:49
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
 评论 ⋅  2023-05-11 09:47
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
 评论 ⋅  2023-04-28 10:25
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
 评论 ⋅  2023-04-27 16:12
国内首次太赫兹轨道角动量的实时无线传输通信实验完成 6G关键技术有新突破
 评论 ⋅  2023-04-19 18:11
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
简述激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用
 评论 ⋅  2023-04-17 16:48
简述基于可调谐半导体激光吸收光谱的氧气浓度高灵敏度检测研究
 评论 ⋅  2023-04-14 18:40
上海微系统所等在自参考太赫兹双光梳方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-04-14 18:36
北京大学攻克激光雷达抗干扰和高精度并行探测两个世界性难题
 评论 ⋅  2023-04-13 17:44
基于金刚石的先进热管理技术研究进展
 评论 ⋅  2023-04-13 16:17
山东大学陶绪堂教授团队提出一种新型氧化物X射线探测材料的设计思路
 评论 ⋅  2023-04-12 17:06
中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED
 评论 ⋅  2023-04-11 18:03
打破国外垄断 武汉先进院有机硅材料制备技术取得突破
 评论 ⋅  2023-04-11 07:55
简述碳化硅衬底制备的重点与难点
 评论 ⋅  2023-04-10 14:05
复旦研究团队实现单芯片紫光Micro-LED超过10Gbps通信速率
 评论 ⋅  2023-04-07 18:33
简述MOSFET与IGBT的区别
 评论 ⋅  2023-04-04 11:50
简述功率半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
 评论 ⋅  2023-04-03 17:04
厦大与黑龙江大学研究人员合作在有机光子器件及其集成领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-04-03 15:58
第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势
 评论 ⋅  2023-03-28 18:11
中国科大首次实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测
 评论 ⋅  2023-03-28 17:16
西安交大科研人员在垂直结构hBN/BAlN异质结电学特性研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-03-28 16:45
厦大研究团队在高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-03-27 17:03
简述金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2023-03-27 11:28
国际首次！科研团队在基于碳化硅硅空位色心的高压原位磁探测研究方面取得突破
 评论 ⋅  2023-03-24 13:35
复旦大学研究团队实现自激活存算一体超快闪存
 评论 ⋅  2023-03-23 11:09
中国科大在电源管理芯片设计领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-03-22 17:20
湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-03-20 09:35
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