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中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖
 评论 ⋅  2023-06-30 11:10
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
沟槽型SiC MOSFET 工艺流程及SiC离子注入
 评论 ⋅  2022-10-25 16:44
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
 评论 ⋅  2022-08-28 09:13
中国电科高能离子注入机研制获重大突破 系芯片制造核心装备
中国电科高能离子注入机研制芯片制造核心装备
 评论 ⋅  2020-06-28 09:31
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