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国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二氧化钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
 评论 ⋅  2022-10-10 17:57
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
一文读懂氧化镓半导体
 评论 ⋅  2022-09-06 18:56
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
 评论 ⋅  2022-08-28 09:13
外媒：日企将大规模量产氧化镓器件
 评论 ⋅  2022-08-25 14:59
复旦大学卢红亮课题组在柔性氧化镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
 评论 ⋅  2022-06-30 15:52
西安交大在氧化物薄膜外延领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-06-21 13:52
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-05-27 10:30
华中科技大学黄亮课题组提出膨化制备超薄氧化物新策略
 评论 ⋅  2022-05-24 09:13
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
 评论 ⋅  2022-05-09 11:19
国际首创！浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸氧化镓晶圆
 评论 ⋅  2022-05-07 07:41
日本团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓外延片
 评论 ⋅  2022-03-28 17:18
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化镓成膜成功
HVPE法6英寸晶片氧化镓成膜
 评论 ⋅  2022-03-02 09:24
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
国际首次 | β相氧化镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
 评论 ⋅  2022-01-19 11:23
中科大在日盲紫外探测领域取得新进展
中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组氧化镓日盲探测器研究
 评论 ⋅  2021-10-26 14:18
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