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九峰山实验室推
氧化镓
科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸
氧化镓
单晶,开启第四代半导体
氧化镓
新时代
研制成功!我国团队在
氧化镓
日盲光电探测器领域取得重要进展
半导体所在基于
氧化镓
的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/
氧化镓
异质结器件突破
上海微系统所科研团队在金刚石基
氧化镓
异质集成材料与器件领域取得突破性进展
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型
氧化镓
单晶生长
深圳平湖实验室在
氧化镓
理论研究方面取得重要进展
镓仁半导体:铸造法成功生长超厚6英寸
氧化镓
单晶!
日本FOX公司计划2028年量产6英寸
氧化镓
晶圆
武汉大学袁超课题组在超宽禁带
氧化镓
热输运领域最新研究进展
宁波材料所研发
氧化镓
基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
镓和半导体展示多规格
氧化镓
单晶衬底并首次公开发布4英寸(100)面单晶衬底参数
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂
氧化镓
异质外延薄膜研究取得进展
西安电子科技大学郝跃院士团队:
氧化镓
功率器件研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体
氧化镓
功率器件领域取得研究进展
厦门大学张洪良团队在
氧化镓
半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
厦门大学张洪良团队在宽禁带
氧化镓
半导体掺杂电子结构研究取得进展
南京邮电大学
氧化镓
创新中心(IC-GAO)
氧化镓
日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化镓
日盲紫外光电探测器研究取得进展
中国科大龙世兵课题组研制出
氧化镓
垂直槽栅场效应晶体管
中国科大在
氧化镓
半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术获突破!
宽禁带
氧化镓
半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化镓
单晶生长与性能分析
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化镓
晶体
一文读懂
氧化镓
半导体
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化镓
二极管并首次在
氧化镓
中实现空穴超注入效应
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