首页 > 新闻资讯 > 搜索
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗功率器件方面取得重大进展
 评论 ⋅  2023-10-23 16:54
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
 评论 ⋅  2023-10-18 10:44
西安电子科技大学郝跃院士团队：氧化镓功率器件研究成果
 评论 ⋅  2023-08-24 14:51
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓功率器件领域取得研究进展
 评论 ⋅  2023-07-25 12:45
复旦大学微电子学院杨迎国等在钙钛矿半导体光电器件研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-07-10 08:30
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率器件领域的研究进展
 评论 ⋅  2023-06-29 17:31
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-08 10:48
中科院微电子所：在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
 评论 ⋅  2023-06-06 11:30
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
 评论 ⋅  2023-05-26 13:44
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
 评论 ⋅  2023-05-11 09:47
简述功率半导体器件之IGBT技术及市场发展概况
 评论 ⋅  2023-04-03 17:04
厦大与黑龙江大学研究人员合作在有机光子器件及其集成领域取得重要进展
 评论 ⋅  2023-04-03 15:58
湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展
 评论 ⋅  2023-03-20 09:35
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
简述碳化硅功率器件封装的三个关键技术
 评论 ⋅  2023-02-28 14:13
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部