首页 > 新闻资讯 > 搜索
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
 评论 ⋅  2022-11-18 14:38
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
简述SiC功率器件的新发展和挑战
 评论 ⋅  2022-11-04 16:51
IFWS 2022看点前瞻：射频电子材料与器件
 评论 ⋅  2022-10-20 11:17
盘点我国金刚石半导体与器件科研团队
 评论 ⋅  2022-10-19 15:03
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
简述碳化硅功率器件封装关键技术
 评论 ⋅  2022-10-14 17:34
高压碳化硅器件封装国内外研究进展
 评论 ⋅  2022-10-13 14:32
金刚石在器件散热应用中的研究动态几则
 评论 ⋅  2022-10-10 15:52
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
合肥工业大学在可重定义微波无源器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-09-22 17:12
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP：利用电子通道衬度成像方法分析氮化镓异质结中的穿透位错和失配位错
 评论 ⋅  2022-09-14 13:59
高导热金刚石材料的制备及器件应用进展
 评论 ⋅  2022-08-30 11:58
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部