厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展

日期:2024-04-29 阅读:507
核心提示:近日,据浙大杭州科创中心官微消息,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联

近日,据浙大杭州科创中心官微消息,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。

据了解,想要降低碳化硅衬底的成本,主要得从碳化硅单晶入手;想要将碳化硅单晶厚度显著提升,则必须解决晶体的温度梯度和应力控制等难题。

为了解决难题,联合实验室采用的是提拉式物理气相传输(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生长出直径为6英寸(即150 mm)的碳化硅单晶,其厚度突破了100 mm。

根据测试加工而得的衬底片的结果显示,该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型、结晶质量良好,电阻率平均值不超过? 30 mΩ·cm。目前研究团队已就相关工作申请了2项发明专利。

除此之外,去年5月,联合实验室经过系列技术攻关,在大尺寸碳化硅(SiC)单晶生长及其衬底制备方面取得突破。

联合实验室针对PVT法,提出了多段式电阻加热的策略,同时结合数值模拟研究设计和优化8英寸碳化硅单晶生长的热场与工艺手段开展研发工作,成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭,并加工获得了8英寸碳化硅衬底片,成功跻身8英寸碳化硅俱乐部。

来源: 浙大杭州科创中心

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