碳化功率器件因其在高温、高频率和高电压环境下表现出色的特性而受到广泛关注，发展潜力十分巨大，尤其在高温、高频率、高电压以及对辐射抗性要求较高的特殊环境中具有明显的优势。未来随着制造技术的进步、成本的降低以及对高性能功率器件的不断需求，碳化功率器件有望在多个领域实现更广泛的商业应用。与此同时，碳化功率器件封装技术呈现高度集成化，芯片级封装技术，先进散热设计，多层、三维封装，智能化封装等多种趋势。封装技术不断演进在适应更高性能、更高集成度和更为复杂应用需求的发展方向。随着技术的不断创新和市场的发展，碳化功率器件封装技术将继续迎来新的突破和提升。
2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
期间，“碳化功率器件及其封装技术分会“如期召开，本届分会得到了三安光电股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、清软微视（杭州）科技有限公司、九峰山实验室、德国爱思强股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、江苏博睿光电股份有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司的协办支持。
分会上，来自北卡罗来纳州立大学、日本大阪大学、西安交通大学、浙江大学、复旦大学、山东大学、湖南大学、厦门大学、天津工业大学、桂林电子科技大学、中国电子科技集团第五十五所、湖北九峰山实验室、、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京智慧能源研究院怀柔实验室、三安光电、上海瞻芯电子、德国贺利氏电子、北方华创、华为数字能源、博睿光电等国内外实力派科研院所及企业代表性力量齐聚，共同探讨碳化功率器件及其封装技术前沿发展趋势及最新动向。浙江大学电气工程学院院长、教授盛况主持了本届分会。
浙江大学电气工程学院院长、教授盛况
Victor Valiads--Power Amarica 首席技术官、北卡罗来纳州立大学教授 视频报告
SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level
王德君--大连理工大学教授
《提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径》
叶念慈--三安半导体技术总监
《产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能》
张轶铭--北京北方华创微电子装备有限公司
《面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案 》
曹峻--上海瞻芯电子科技有限公司副总经理
《碳化硅车载功率转换解决方案 》
陈传彤--日本大阪大学副教授
《SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展》
王来利-西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长、教授
《碳化硅功率半导体多芯片封装技术》
董侃--德国贺利氏电子功率市场经理
《先进烧结解决方案》
袁俊—湖北九峰山实验室功率器件负责人
《新型碳化硅沟槽器件技术研究进展》
黄润华--中国电子科技集团第五十五所研究所副主任设计师
《750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究》
张銮喜--浙江大学
《具有分离保护沟槽栅的超低导通电阻SiC LDMOS和Trench RESURF技术》
张园览--复旦大学
《1200-V SiC MOSFET在不同总电离剂量下的退化与恢复》
陈家祺--湖南大学
《总电离剂量辐射对1200V沟道型SiC功率MOSFET雪崩稳定性的影响》
张国良--厦门大学
《一种新型短超结碳化硅绝缘栅双极晶体管》
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
