总投资116亿元!西安第三代化合物半导体产业化项目正式落户泾河新城

日期:2022-12-12 阅读:667
核心提示:半导体产业网讯:12月8日,西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司在北京签订战略合作框架协议:总投资116亿元的西安第三

半导体产业网讯:12月8日,西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司在北京签订战略合作框架协议:总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。

签约仪式现场(央广网发 西咸新区泾河新城供图)

西咸新区党工委委员,泾河新城党委书记、管委会主任张宏伟;西安市驻京办副主任寻心乐;国家产学研激光技术中心副主任王志勇;天石基金管理(深圳)有限公司总经理叶欣等出席活动并鉴签。江西誉鸿锦材料科技有限公司董事长闫怀宝、泾河新城招商二部部长刘钊分别代表双方签署合作协议。

据介绍,西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目将以第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)为核心内容,建立第三代化合物半导体研发中心,开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后,可实现年产值500亿元,实现年上缴税收约25亿元;同时,也将进一步带动相关上下游产业链配套企业入驻,全力助推氮化镓电子器件和高端光电器件等在泾河新城实现“中国智造”。以此次签约为标志,泾河新城将在产业布局上形成光伏、新能源新材料、半导体芯片三大产业鼎足之势。

据了解,氮化镓作为研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在光电子、激光器、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔发展前景。2020年以来,全球不少国家已经开展了氮化镓等第三代半导体材料研发和生产项目,预计未来该行业将迎来技术快速发展期,成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

近年来,在国内外顶级研究机构和团队的支持协助下,江西誉鸿锦材料科技有限公司专注于GaN电子器件研发,已掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,拥有丰富的工艺经验,技术水平已达到世界先进水平。

此次落户泾河新城的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目,除主体方江西誉鸿锦材料科技有限公司外,天石基金管理(深圳)有限公司也将进行注资。作为国内知名基金管理公司,天石基金的股东来自多家知名企业实际控制人及核心成员,管理团队成员多来自国内外知名投资机构、上市公司、基金公司及金融机构等,团队工作经验、专业能力突出。

近年来,泾河新城紧紧围绕“追赶超越”要求和高质量发展主题,坚定“西安北跨战略核心聚集区”发展定位,以“做最优生态环境、引最多优秀人才、聚最强高端产业”为发展路径,持续招大引强、招优引创,成功吸引隆基、创维等百亿级重点项目纷纷落地,跑出建设发展新速度。

今年8月11日,在西安市第三季度集中开工仪式上,作为西咸新区主会场的秦创原泾河新城新材料研发生产基地同步开建,总投资额35亿元;9月28日,拉普拉斯光伏及半导体工艺设备研发制造基地项目签约落户泾河新城,总投资约15亿;11月8日,陕煤研究院新能源核心材料一体化研发生产基地项目落户泾河新城,计划投资约61亿元。此次氮化镓新材料项目的签约落地,是泾河新城在新材料基地建设上的又一个“大手笔”力作,将助力西咸新区和西安市新材料产业发展和产业集群建设,为秦创原创新驱动平台高质量建设再添新动能。(西咸新区泾河新城供稿)

 

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