国联万众发布研发项目环评报告表 碳化硅高压功率模块研发项目预计明年1月开工

日期:2022-08-09 阅读:389
核心提示:近日,北京国联万众半导体科技有限公司(以下简称国联万众)公示碳化硅高压功率模块关键技术研发项目环评报告表。根据环评报告表
 近日,北京国联万众半导体科技有限公司(以下简称“国联万众”)公示碳化硅高压功率模块关键技术研发项目环评报告表。
 
根据环评报告表,国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目,为第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目,总投资额31302.34万元,用地3000平方米,主要研发 3300VMOSFET 芯片及3300V 高压功率模块封装技术,预计将于2023年1月开工,建设周期为五年。



 
目前,该公司第三代半导体材料及应用联合创新基地项目(一期)为在建项目,主要进行第三代半导体材料研发及制造生产、第三代半导体材料及器件的生产。
 
国联万众成立于2015年3月,注册资金12978万元,由中国电子科技集团公司第十三研究所控股,中国电子科技集团公司、北京市投资公司、顺义区投资公司、骨干团队合伙制平台等股东参股。公司主营业务为第三代半导体氮化镓/碳化硅芯片、器件,其中氮化镓射频功放芯片已成为埃赋隆(Ampleon)供应商;公司研发生产的碳化硅电力电子二极管产品已投入市场;MOSFET已开发出产品,正在为格力、比亚迪等公司提供产品试用。

(集微网)
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