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北京大学
沈波
教授:氮
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北京大学
沈波
教授:氮
以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中,结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
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guansheng
2022-09-09 15:47
沈波
:高质量 AlN 单
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沈波
:高质量 AlN 单
《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波 教授 北京大学
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limit
2022-01-11 17:23
许福军:AlGaN基深紫
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许福军:AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者:许福军,沈波,单位:北京大学物理学院
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2022-01-05 09:53
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