氮化镓光电子融合集成及应用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications严嘉彬南京邮电大学教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications

钙钛矿LED晶体结构稳定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes谢跃民苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

硅基LED照明技术进展及应用王光绪南昌大学教授WANG GuangxuProfessor of Nanchang University

基于多边形微腔的表面等离激元在LED中的发光增强效应Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陈鹏南京大学教授CHEN PengProfessor of Nanjing University

6G可见光通信Visible Light Communication Toward 6G迟楠复旦大学电子科学技术学院院长、教授CHI NanDean of School of Electronic Science and Technology

氮化镓及碳化硅紫外探测器技术与产业化应用陆海镓敏光电董事长、南京大学教授LU HaiProfessor of Nanjing University

Is WBG a Game Changer for Power Electronics IndustryFred LEE美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士Fred LEEDistinguished Professor Emeritus at Virginia Tech, USA; Member of the National Academy of Engineering (USA), Member of National Academy of Inventors (USA), Foreign Member of Chinese Academy of Engineering

Blue LED causes cell death in human hepatoma by inducing DNA damage袁野哈尔滨医科大学副教授YUAN YeAssociate Professor of Harbin Medical University

基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零检测技术王浩宇上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University

用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova

AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

C4盐生植物的产量、光利用效率和营养品质--马齿苋在不同光照强度、光周期和日照积分下的室内生长Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何洁新加坡南洋理工大学教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore

照强度与白色LED色温对丹参种苗生长的影响Effects of lighting intensity and color temperature of white LED on growth of Salvia miltiorrhiza transplants贺冬仙中国农业大学水利与土木工程学院教授HE DongxianProfessor of College of Water Resources and Civil Engineering, China Agricultural University

第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究

半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x

以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology